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硅光耦合器

     硅光耦合器(光敏管输出) SI PHOTOCOUPLERS (Transistor Out Put)

Type No.
VF(V)
IR
IFM
ICEO
V(BR)CE
VCE(sat)
PCM
CTR
T
Viso
外形图
(μA)
(mA)
(μA)
(V)
(V)
(mW)
(%)
tr
tf
(KV)
Outline
(μs)
(μs)
Fig.No
GD11
≤1.3
≤10
40
≤0.1
≥30
≤0.4
75
10 ~ 30
≤4
≤4
≥0.5
1
12
30 ~ 60
13
60 ~ 100
14
>100
15
100
10 ~ 30
≥5
2
16
30 ~ 60
17
≥60
18
10 ~30
≥10
3
19
≥30
GD521-1A
≤1.3
≤10
40
≤0.1
≥30
≤0.4
75
10 ~ 30
≤4
≤4
≥2
4
B
30 ~ 60
C
60 ~ 100
D
>100
GH303A
≤1.3
≤20
50
≤0.1
≥50
≤0.4
50
10 ~ 30
≤3
≤3
≥1
5
B
70
30 ~ 60
C
60 ~ 100
D
100 ~ 150
E
≥150
测试条件
IF=10mA
VR=5V
VCE=10V
IC=1μA
IF=20mA
IC=1mA
IF=10mA
VCE=10V
RL=50Ω
VCE=10V
IF=25mA
f=100HZ
S=50%
AC=50HZ
1分钟


     硅光耦合器(达林顿输出) SI PHOTOCOUPLERS (Darlington Out Put)
Type No.
VF
IR
IFM
ICEO
V(BR)CE
VCE(sat)
PCM
CTR
T
Viso
外形图
(V)
(μA)
(mA)
(μA)
(V)
(V)
(mW)
(%)
tr
tf
(kv)
Outline
(μs)
(μs)
Fig.No
GD21
≤1.3
≤10
40
≤1
≥30
≤1.5
75
100 ~ 200
≤50
≤50
≥0.5
1
22
200 ~ 500
23
≥500
GD24
≤1.3
≤10
40
≤1
≥30
≤1.5
100
100 ~ 500
≤50
≤50
≥5
2
25
≥500
GD26
≤1.3
≤10
40
≤1
≥30
≤1.5
75
100 ~ 500
≤50
≤50
≥10
3
27
≥500
测试条件
IF=10mA
VR=5V
VCE=5V
IC=1μA
IF=10mA
IC=10mA
IF=5mA
VCE=5V
RL=50Ω
IF=10mA
f=100HZ
S=50%
AC=50HZ
1分钟


     硅光耦合器(达林顿输出、双列直插式) SI PHOTOCOUPLERS (Darlington Out Put)
Type No.
VF
IR
IFM
ICEO
V(BR)CE
VCE(sat)
PCM
CTR
T
Viso
外形图
(V)
(μA)
(mA)
(μA)
(V)
(V)
(mW)
(%)
tr
tf
(kv)
Outline
(μs)
(μs)
Fig.No
GH332A
1.3
≤10
40
≤1
≥30
≤1.5
75
100 ~ 200
≤50
≤50
1
5
B
200 ~ 500
C
≥500
测试条件
IF=10mA
VR=5V
VCE=5V
IC=50μA
IF=10mA
IC=10mA
IF=5mA
VCE=5V
RL=50Ω
IF=10mA
t=0.5ms
S=50%
AC=50HZ
1分钟

     硅光耦合器(二极管输出) SI PHOTOCOUPLERS (diode out put)
Type No.
VF
IRI1)
IFM
IRO2)
VBR
VCE(sat)
PCM
CTR
T
VISO
外形图
(V)
(μA)
(mA)
(μA)
(V)
(V)
(mW)
%
tr
tf
(kv)
Outline
(μs)
(μs)
Fig.No
GD41
≤1.3
≤10
40
≤0.05
≥60
1 ~ 3
≤0.5
≤0.5
≥0.5
测试条件
IF=10mA
VR=5V
VCE=10V
IR=10μA
IF=10mA
VCE=10V
RL=50Ω
IF=25mA
VCE=10V
AC=50HZ
1分钟
按用户要求定

     1)IRI输入端二极管反向漏电。2)IRO输出端二极管反向漏电。

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