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红外发射二极管

　　　 砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diodes

Type No.	I_FM (mA)	V_R (V)	P_D (mW)	T_OPr (℃)	V_F		I_R		P_O		λ_p		Δ_λ (nm)	外形图 Outline Fig.No
Type No.	I_FM (mA)	V_R (V)	P_D (mW)	T_OPr (℃)	(V)	I_F (mA)	(μA)	V_R (V)	(mW)	I_F (mA)	(nm)	I_F (mA)	Δ_λ (nm)	外形图 Outline Fig.No
IR21	20	—	30	—	≤1.3	10	≤10	5	≥3	20	940	100	40	2
31	30	—	45	—					≥3					3
51	50	—	100	—					≥5					1
52	50	5	150	—25～80		30	≤50		≥2			—	—	4
101	100	—	150	—25～60	≤1.25	50	≤0.01	3	≥3	30		30	—	4

　　　　砷化镓红外发光二极管

参数项目	电气光学特性Ta=25±2℃				极限参数				外形尺寸
参数项目	输出光功率	发光峰值波长	正向电压	反向电压	正向电流	正向脉冲电流	耗散功率	工作温度	单位：mm
符号	P	λ_p	V_F	V_R	I_FM	I_FP	Pc	T_OP
测试条件	I_F=20mA		I_F=10mA	I_R=100uA		占空比20:1
型号
IR21-A	≥1mw	940nm	≤1.3v	≥6v	30mA	0.5A	45mw	–25℃—+65℃	2×4
IR21-B									2×5.6±0.45
IR21-C									2×8±0.55

型号	A1	B1min	C1min	单位
IR21-A	4	10	15	mm
IR21-B	5.6±0.45	10	15	mm
IR21-C	8±0.55	25	30	mm

Fig.1

Fig.2

Fig.3

Fig.4

Fig.5

Fig.6

　　　

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